原⼦层沉积是基于表⾯控制的薄膜沉积技术。在镀膜过程中,两种或更多的化学⽓相前驱体依次在基底表⾯发⽣化学反应从⽽产⽣固态的薄膜。在反应腔内有惰性载⽓穿过;前驱体通过极短的脉冲注⼊到这个惰性载⽓中。 惰性载⽓携带着前驱体脉冲作为⼀种有序“波”依次通过反应腔,真空泵管路,过滤系统,并最终通过真空泵。
ALD前驱
可⽤原⼦层沉积的最常⽤的材料包括(选择):
氧化物: Al2O3, CaO, CuO, Er2O3, Ga2O3, HfO2, La2O3, MgO, Nb2O5, Sc2O3, SiO2, Ta2O5, TiO2, VXOY, Y2O3, Yb2O3, ZnO, ZrO2, etc.
氮化物: AlN, GaN, TaNX, TiAlN, TiNX, etc.
碳化物: TaC, TiC, etc.
⾦属: Ir, Pd, Pt, Ru, etc.
硫化物: ZnS, SrS, etc.
氟化物: CaF2, LaF3, MgF2, SrF2, etc.
⽣物材料: Ca10(PO4)6(OH)2 (hydroxyapatite)
聚合物: PMDA–DAH, PMDA–ODA, etc.
掺杂纳⽶涂层和复合结构:ALD 可以使⽤⼤量不同的材料组合
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